当前位置:栀璃鸢年>女生耽美>科技公司,我成国产之光!> 第279章 “华夏”芯片立项!
阅读设置 (推荐配合 快捷键[F11] 进入全屏沉浸式阅读)

设置X

第279章 “华夏”芯片立项!(3 / 3)

们有很多疑问,不过我可以明确告知你们的是,代替光刻机的光刻工厂已经建成,并完成了试生产。”

“嘶!!!”

众首席倒吸一口凉气。

代替光刻机!

居然有机器可以代替光刻机!

高正谦也闪过抹意外,急忙追问道:“也就是说,这光刻工厂有135纳米波长的极紫外光?”

“不!”

陈星摇了摇头,全盘托出道:“它不仅有135纳米波长的极紫外光,它还有3纳米、7纳米、10纳米、20纳米、28纳米,甚至连48纳米的深紫外光都有。”

高正谦:“……”

顾仁:“……”

众首席:“……”

他们彻底懵逼了。

这光刻工厂到底什么玩意,居然可以发出这么多光源,他们真的闻所未闻。

陈星看着他们惊讶的表情,浇了盘冷水道:“我们只测试了135纳米波长的极紫外光,其他光源都没有测试,而且光刻工厂还存在能源问题,所以保守点,设计7纳米芯片是最稳妥的。”

在他看来,哪怕其他光源不能使用,只要135纳米的极紫外光能用就行了。

因为有多重曝光技术,135纳米波长的极紫外光,理论光刻极限是3纳米的芯片。

但光刻3纳米芯片,需要四块光掩膜版配合,光刻步骤和成本太大了,7纳米只需要一次,各方面的性价比都是最高的。

然而。

高正谦不这样想。

只见他双手放在桌面,表情严肃道:“既然135纳米的极紫外光已经验证成功,那7纳米、5纳米,甚至是3纳米的极紫外光肯定也八九不离十,我建议是要么上5纳米,要么就是3纳米拉满。”

“这个是狼人。”

顾仁心中喃喃自语。

其他首席也被这番话惊到,3纳米拉满这句话太可怕,这已经是要挑战晶体管极限了。

因为纳米等级越小,栅极就会越小,一旦栅极过小,就会发现漏电的情况。

而芯片的计算,其实就是0和1,一旦某个栅极漏电出错,计算的数据就会不同。

根据世界半导体联盟发布的期刊内容,它们认为晶体管最小纳米是3纳米,一旦超过3纳米,也就是3纳米以下,就有可能出现隧穿效应,导致漏电的情况发生。

“有把握吗?”

陈星尊重高正谦的选择。

他也相信,林天的光刻工厂是可以制造3纳米芯片的,因为这两人从来没有让他失望过。

“100!”

高正谦嘴角带笑回应。

刚说完,他讲述道:“根据我的研究,晶体管极限可能是在2纳米,也有可能是在1纳米,但绝不可能是3纳米,设计3纳米芯片,我有100的信心可以完成。”

“好!”

陈星重重点头,委派任务道:“既然这样,那高首席伱们团队负责3纳米芯片的研发,项目代号为华夏,六个月内,我需要见到芯片的电路设计图。”

他本想着求稳,但既然高正谦都这样说了,他也愿意承担未来可能发生的风险。

哪怕光刻工厂的3纳米极紫外光不能使用,他还有多重曝光技术,3纳米芯片是肯定能造的,只不过是成本多少的问题罢了。

“六个月,足矣。”高正谦淡淡回应,他的嘴角依旧挂着那抹标志性的笑容。

上一页 目录 +书签 下一章